台积电公布 3 大技术路线 1.6nm 明年见，1.4nm 坐火箭，死磕英特尔》

 今天我就来给大家唠唠台积电最近公布的 3 大技术路线，那可是相当有料，直接剑指英特尔，这半导体圈的竞争那是越来越激烈啦！

先说说台积电这回的重头戏 ——A14 工艺，这可是一个 1.4nm 级的先进工艺，英特尔那边也有个 14A 工艺，号称也是 1.4nm 级，台积电这明显是跟英特尔 “杠上了”。台积电说，A14 工艺比它自家的 N2（2nm 级）工艺在性能、功耗和晶体管密度方面都有显著提升。按照计划，A14 工艺 2028 年投产，现在开发进展顺利，良率都提前实现了。再看看英特尔的 14A，预计 2027 年风险性试产，顺利的话 2028 年量产，这时间表倒是有点 “撞车” 的意思。

那台积电这 3 大技术路线到底是个啥情况呢？

第一，追求最大晶体管密度和最高性能效率。针对智能手机与 PC 这类产品，台积电准备了 N3P、N2、N2P 与 A14 制程技术，重点优化 “每瓦性能”，同时避免背面供电的复杂性和成本，让移动与消费 SoC 在面积效率和电池续航之间达到最佳平衡。

第二，以合理成本提供最佳电源，实现最高性能效率。对于功耗一千瓦以上的数据中心处理器，台积电计划 2026 年底推出配备晶背供电的 A16，2029 年再推出配备超级电轨技术的 A14。

第三，就是搞数据中心的多芯片封装解决方案。现在数据中心里的人工智能基础设施对这一块需求越来越大，台积电扩展了先进封装技术组合，把硅光子与嵌入式电源组件都涵盖进去，打造一体化、高带宽又节能的系统方案。

再说说摩尔定律这个老生常谈的话题。现在有人觉得摩尔定律是不是 “不行了”，但台积电的张晓强不这么认为。从 5nm 发展到 A14，目前来看，每代功耗效率降低约 30%，晶体管密度每代提升约 20%，效能提升 15%，这和以往的进展基本是一致的。

放眼未来，台积电对 A14 以下制程也是信心满满。从 N2 到 A16 这一转变相当大，台积电有信心在 2028 年实现 A14 量产，让客户能享受到制程技术进步带来的好处。

台积电还计划推出 A14P、A14X、A14C 等多种版本的衍生制程。其中，A14P 是包括背侧电力供应在内的高性能版本，A14X 和 A14C 分别以性能最优化型和成本节省型模式进行优化。此外，台积电 2026 年底要推出 A16（1.6nm 级）制程技术。

这台积电和英特尔在半导体领域的竞争，可真是越来越白热化了。从目前的进展来看，台积电在技术研发和推向市场的节奏上都显得很有章法，不断推陈出新，优化现有技术的同时还积极布局未来。而对于英特尔来说，压力也是越来越大，不知道它能不能顶住台积电的 “攻势”，在未来的半导体市场中守住自己的地盘。各位看官，咱们就拭目以待吧！